Cell Broadband Engineの45ｎｍSOIプロセス技術への移行は、スーパーコンピュータ・オン・チップの性能を維持しながら卓越した低コスト、低消費電力の実現に向けた重要なステップだと認識しています。　IBMはイーストフィッシュキルにある３００ｍｍ半導体製造施設で４５ｎｍプロセスを用いたCell/B.E.の製造を主導できること、また更なる微細化及び低消費電力化にともない、この能力をより広範に推進できることを嬉しく思っております。

「年初来、半導体事業で集中していく領域の一つに「ゲーム」分野を掲げてきました。
同時に４５ｎｍ以降の先端プロセスに向けた生産投資を慎重に検討してきました。
今回、IBM、東芝の各社とそれぞれプレイステーション向け高性能半導体の最先端プロセスでの生産に向けた協業、協力関係が構築できたことは、プレイステーション向け高性能半導体ビジネスの進展に繋がると確信しています。今後、ソニーはこれまで貯えた高性能半導体に対する設計技術力などのノウハウを生かしながら、各社との協力体制に貢献し、自社のプレイステーション向け高性能半導体事業を発展させていく所存です。」

「この度の協業を通して、45ｎｍプロセスによる微細化、及び低消費電力化が今後一層進み、プレイステーション向け半導体の更なる進化とコストダウンを実現する体制ができたことを大変嬉しく思います。最先端半導体は、プレイステーションプラットフォームの中核を成す重要な基幹部品です。更に強化された量産体制を背景に、SCEとしてもプレイステーションビジネスの一層の発展と新しいインタラクティブエンタテインメントの提供にまい進して参ります。」

「今回の新たな協業体制は、高性能なゲーム機向け半導体の生産効率向上と次世代プロセスの早期立ち上げにつながるものです。東芝の戦略事業分野であるシステムＬＳＩ事業の中でも、プレイステーション３向けのＲＳＸに代表されるゲーム機向け高性能半導体は今後も大きな成長が見込まれる分野であり、新しい枠組みを通じて、次世代プロセスによる早期安定供給を図り、市場の拡大に貢献してくとともに、引き続きソニーグループのプレイステーション ビジネスをサポートしていけることを嬉しく思います。」