開発した赤色レーザーは長さ10mm、エミッタ数25個というアレイ構造の半導体チップを銅製のヒートシンクに接合した構造です。レーザー構造の中の活性層薄膜の均一性向上をはじめ、クラッド層材料であるアルミニウムインジウムリン(AlInP)の高純度化とp型伝導を得るためのマグネシウムドーピングの厳密な濃度コントロールをおこなった結果、レーザーの発振開始電流の低減をはかり、レーザー発振の性能向上を実現しました。また、レーザーアレイの実装において、レーザーアレイとヒートシンクの接合に新しい実装技術を導入することにより、デバイスからヒートシンクへの排熱効率を向上させました。さらに、この実装技術を用いたことにより、レーザーアレイの実装位置精度を高くすることが出来たため、レーザー光の光学部品への光の結合効率が向上しました。このように、自己発熱が少ない高エネルギー変換効率のレーザー結晶を作製するとともに、発生した熱を効率よく排熱するレーザーデバイスの実装をおこなった結果、波長635nm、光出力7.2W、エネルギー変換効率23%、動作温度25℃を達成したとともに、プロジェクター組み込み時の熱設計、光学設計も容易にしています。