ソニー株式会社は、カメラの進化を実現し続ける次世代の裏面照射型CMOSイメージセンサーとして、積層型CMOSイメージセンサーを開発しました。本イメージセンサーは、従来の裏面照射型CMOSイメージセンサーの支持基板の代わりに信号処理回路が形成されたチップを用い、その上に裏面照射型画素が形成された画素部分を重ね合わせた積層構造にすることで、カメラの進化に繋がる高画質化・高機能化・小型化を実現します。今後は、次世代の裏面照射型CMOSイメージセンサーとして位置づけ、より使いやすく撮影の楽しみ方を広げるカメラの開発に繋げられるよう、本イメージセンサーの開発と商品構成の拡充を積極的に進めていきます。

　昨今、スマートフォンなどの普及に伴い、カメラ機能の使われ方も多様化していますが、幅広い撮影シーンに対応するために、カメラには一層の進化が求められています。ソニーは、この要望に応えるイメージセンサーとして、従来取り組んできた多画素化・高画質化・高速化に加え、カメラ進化の実現に繋がる高機能化と小型化の両立も可能にする積層型CMOSイメージセンサーを開発しました。
　本イメージセンサー商品化の第一弾として、通常外付けが必要なカメラ信号処理機能を内蔵したCMOSイメージセンサーを開発し、2012年3月よりサンプル出荷します。併せて、暗いシーンでもノイズの少ない高画質撮影を可能とする当社独自の「RGBWコーディング」機能と、逆光でも色鮮やかな撮影を実現する独自の「HDR（ハイダイナミックレンジ）ムービー」機能を搭載したモデルも開発しました。

　従来のCMOSイメージセンサーでは、同一チップ上に画素部分とアナログ・ロジック回路を搭載するため、回路規模とチップサイズ、画素部分と回路部分の配置によるノイズ対策、画素特性と回路トランジスタ特性の最適化など、数々の制約があり、大規模な回路を搭載する上での課題となっていました。
　当社は、従来の裏面照射型CMOSイメージセンサーの支持基板の代わりに信号処理回路が形成されたチップを用い、その上に裏面照射型画素が形成された画素部分を重ね合わせるという、積層構造の確立に成功しました。この積層構造により、小さなチップサイズで大規模な回路の搭載が可能となります。また、画素部分と回路部分をそれぞれ独立したチップとして形成するので、画素部分は高画質化に特化し、回路部分は高機能化に特化した製造プロセスを採用できるため、高画質化・高機能化・小型化を同時に実現できます。さらに、回路が形成されたチップに先端プロセスを採用することで、信号処理の高速化・低消費電力化も図れます。