プレスリリース

< 報道資料 >

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2001年 5月 17日



次世代システムＬＳＩにおけるプロセス技術の共同開発について

ソニー株式会社
株式会社　東芝


　ソニー株式会社（以下ソニー）と株式会社東芝（以下東芝）は、０．１０μｍ／０．０７μｍ世代のシステムＬＳＩにおける最先端プロセス技術および設計技術を共同開発することで合意しました。両社は、低消費電力・高性能を実現するプロセスおよびデバイス技術の早期確立を目指し、各々において競争力ある商品開発に応用します。

　ＡＶ機器のデジタル化やネットワーク対応などにより、機器の心臓部となるシステムＬＳＩには、一層の高性能化や高機能化、低消費電力化が求められています。そのため、最先端システムＬＳＩにおいては、低消費電力化や高性能化などを実現する、次世代プロセスによる微細化、高集積化技術やプロセスにリンクした設計技術を開発することが必要となります。

　東芝とソニーは、プロセス・デバイス技術に求められている低消費電力・高性能という特性別展開の必要性を認識し、この度の提携に至ったものです。

　共同開発では、両社の民生用を中心としたシステムＬＳＩの最先端技術や設計ノウハウを結集し、次世代のシステムＬＳＩに用いられる０．１０／０．０７μｍプロセスの早期確立を図ります。これにより、両社それぞれにおいて、画像処理などを高速で行なうメモリ混載ハイパフォーマンスＬＳＩや、モバイル用途向け低消費電力型メモリ混載ＬＳＩなどの最先端システムＬＳＩを開発、魅力ある製品開発に応用します。

　共同開発は、今月から２００３年度末の期間で東芝のアドバンスマイクロエレクトロニクスセンターにて開発費約１５０億円を投入して行う予定で、本センターに両社あわせて約１３０名の技術者を集結し実施します。


以上