本共同開発は、米国ニューヨーク州イーストフィッシュキルにあるIBM半導体研究開発センター(IBM Semiconductor
Research and Development Center)に、各社から研究者、エンジニアが集結し、共同開発を行います。その後、本共同開発の成果をもとに、各社が個別に、それぞれの製品、アプリケーションおよび半導体ビジネス向けに先端チップの製造を行います。なお、IBMが米国ニューヨーク州イーストフィッシュキルに新設中の300ミリメートル・ウエハ製造施設の相当な部分にも、これらの新しいプロセス技術が採用される予定です。同時に、今回の合意に加え、IBMの保有する最新のSOI技術をソニーと東芝に移転することに合意いたしました。