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半導体

1954年

  • 日本初のPNPアロイ型トランジスタおよびゲルマニウムダイオード

1958年

  • シリコンパワートランジスタ
    シリコンパワートランジスタ

    世界初の直視型ポータブルトランジスタテレビ「TV8-301」に搭載

1978年

  • 11万画素のCCDイメージャーを開発
    11万画素のCCDイメージャーを開発

    1980年、世界初の実用化CCDカラーカメラ"XC-1"に搭載

1984年

  • 世界初のMOCVDによる半導体レーザ2機種を商品化
    世界初のMOCVDによる半導体レーザ2機種を商品化

1989年

  • 1/2インチ25万画素CCD
    1/2インチ25万画素CCD

    大ヒットした"ハンディカム"CCD-TR55に搭載

1993年

  • 0.55型11.3万ドットカラーLCD、0.7型18万ドットカラーLCD

    TFT方式で世界最小サイズ0.55型11.3万ドット カラーLCD、世界最高画素数0.7型18万ドット カラーLCDを商品化。ビデオカメラのビューファインダー(EVF)等に使われた。

2003年

  •  世界初"モノリシック型"高出力2波長レーザーダイオードを開発
    世界初"モノリシック型"高出力2波長レーザーダイオードを開発

2007年

  • SXRD
    High Frame Rate対応0.61型 Full-HDディスプレイデバイスSXRD™

    動画においても残像感の極めて少ない高精細な映像表現を可能にした。

  • IMX021

    APS-Cサイズで有効1247万画素を実現したCMOSイメージセンサ Exmor

  • シリコンチューナーIC『CXA3746』(左)、復調用LSI『CXD2811』(右)
    シリコンチューナーIC『CXA3746』(左)、復調用LSI『CXD2811』(右)

    テレビの薄型化・多機能化に伴い、チューナーモジュールも小型化。

2008年

  • CMOSイメージセンサー

    35mmフルサイズで有効2481万画素と高速読み出しを実現。
    デジタル一眼レフカメラ向けCMOSイメージセンサーを開発。

  • 高感度、低ノイズで高画質を実現した裏面照射型CMOSイメージセンサー Exmor Rを新開発。

2010年

  • 高出力半導体レーザーダイオード

    ブルーレイディスク(BD)記録用400mW 高出力半導体レーザーダイオード

  • 携帯向け裏面照射型CMOSイメージセンサー“Exmor R”

    携帯向け裏面照射型CMOSイメージセンサー“Exmor R”

2011年

  • 高解像大判8K単板CMOSイメージセンサー

    高解像大判8K単板CMOSイメージセンサー(総画素数約2000万画素)を商品化、CineAltaカメラ「F65」に搭載。

  • 0.74型 4K ディスプレイデバイス“SXRD”
    0.74型 4K ディスプレイデバイスSXRD™

    4K映像表示デバイス向けデータベース型超解像処理LSI「CXD4736GB」
    4Kホームシアタープロジェクター『VPL-VW1000ES』に搭載。

2012年

  • 積層型CMOS イメージセンサー Exmor RS

    業界初 積層型CMOS イメージセンサー Exmor RSを商品化。スマートフォンやタブレットなどに向けて、さらなる高画質化・高機能化・小型化を実現。

  • マルチチューナーモジュール

    業界で初めて1チップで国内3波テレビ放送(地上デジタル、BS/CSデジタル)の受信に対応。新開発シリコンチューナーICを搭載したマルチチューナーモジュール。
    ※ 2012年10月3日広報発表時点

2013年

  • モバイル機器向け GNSS受信LS

    モバイル機器向け GNSS(全地球衛星測位システム)受信LSI。
    高精度な位置測定を可能にするセンサーフュージョン機能を内蔵し、衛星信号の受信だけでは位置の測定が難しい屋内などの環境下でも、高い精度で測位できる。

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