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2012年05月17日

平成24年度全国発明表彰「21世紀発明賞」を受賞

〜遷移金属酸化物型抵抗変化メモリの基本技術の発明により次世代の不揮発性メモリ技術の確立と発展に貢献〜


 ソニーは、「遷移金属酸化物型抵抗変化メモリの基本技術の発明」で、公益社団法人発明協会主催による平成24年度全国発明表彰において、21世紀の社会を創造すると期待される発明の中で、最も優秀と認められる「21世紀発明賞」を受賞しました。
 今回の受賞は、酸化還元を用いた遷移金属酸化物型抵抗変化メモリ(ReRAM)の基本特許であり、その技術が、次世代の不揮発性メモリ技術の確立及び、発展に貢献したことが高く評価されたものです。
 本発明は、二つの電極間に遷移金属などの酸化還元活性物質を含有させ、これを電界下で酸化および還元することにより、「素子の電極表面を酸化した層で覆い、電極間を高抵抗にした状態」と、「電極表面の一部を覆わず、電極間を低抵抗にした状態」とを用いて、データを記憶させることができるメモリです(図1)。
 また、抵抗変化メモリは、直径10nmの微細な素子でも動作を確認できており、構造が単純なため素子を大きくせずにメモリ層を多層化できるため、大容量の記憶装置を作るのに最適な方式です(図2)。さらに電極表面という微小領域での反応であるため、高速動作が可能となります。
 本発明の抵抗変化メモリは、既存記憶装置の大容量化のみならず、その高速性を生かして、情報処理性能の向上による新しい情報処理サービスの創出への貢献が、今後期待されています。
  • 図1 本発明の構造
    図1 本発明の構造
  • 図2 メモリ層を積層した例
    図2 メモリ層を積層した例

全国発明表彰について

 全国発明表彰は、大正8年、日本の科学技術の向上と産業の発展に寄与することを目的に始まり、以来、日本を代表する幾多の研究者・科学者の功績を顕彰しているものです。
 全国発明表彰は、皇室からの御下賜金を拝受し、多大の功績をあげた発明・創作(第一表彰区分)、あるいは、その優秀性から今後大きな功績をあげることが期待される発明(第二表彰区分)を表彰するものです。
 第二表彰区分の「21世紀発明賞」は、科学技術的に秀でた進歩性を有し、かつ特許権等の設定登録後3年以内で、21世紀の社会を創造すると期待される発明の中で、最も優秀と認められるものに対して贈られます。
公益社団法人発明協会  全国発明表彰

「21世紀発明賞」受賞者

ソニー株式会社 半導体事業本部研究開発部門 石田 実
ソニー株式会社 コアデバイス開発本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 荒谷 勝久
ソニー株式会社 コアデバイス開発本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 河内山 彰
ソニー株式会社 コアデバイス開発本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 対馬 朋人
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