報道資料
ここに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。
検索日と情報が異なる可能性がございますので、 あらかじめご了承ください。

2019年2月12日

第65回大河内記念生産賞を受賞

ソニー独自の新しい積層技術「Cu-Cu接続」を搭載した 積層型CMOSイメージセンサーの開発と量産化への貢献

ソニー株式会社
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社とソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社は、「Cu-Cu(カッパー・カッパー)直接接合手法を用いた積層型CMOSイメージセンサーの開発」で、公益財団法人大河内記念会から「第65回(平成30年度)大河内記念生産賞」を受賞しました。

今回の受賞は、高性能化と小型化が進むスマートフォン向け積層型CMOSイメージセンサーに対して、ソニー独自のCu-Cu接続と呼ばれる新しい積層技術を導入し、その量産化を実現したことが評価されたものです。

一般的に、積層型CMOSイメージセンサーの画素チップと論理回路チップとの導通には、シリコン貫通電極(TSV)が用いられています。TSVは、画素チップを貫通するため、画素領域およびその近傍に配置することができず、周辺の専用領域に形成しています。今回受賞するCu-Cu接続は、画素チップと論理回路チップをそれぞれの積層面に形成したCu端子で直接接続しています。これにより画素チップを貫通する必要がなく、接続の専用領域が不要となるため、イメージセンサーのさらなる小型化と生産性向上を可能にしました。この技術がもたらす端子配置の自由度向上と高密度化は、今後の積層型CMOSイメージセンサーの高機能化に貢献できます。

<Cu-Cu接続断面画像>

大河内賞は、故大河内正敏博士の功績を記念して設けられ、わが国の生産工学、生産技術の研究開発、および高度生産方式の実施などに関する顕著な功績を表彰する権威ある賞です。この度当社が受賞した「大河内記念生産賞」は、生産工学、高度生産方式などの研究により得られた優れた発明または考案に基づく産業上の顕著な業績をあげた事業体に贈られる賞です。

今後も当社は、イメージセンサーの技術を磨き続け、産業の発展に貢献する生産技術を確立することなどに取り組んでいきます。

ご参考

このページの先頭へ